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molex/莫仕 存储模块插座 87636-2002 DDR DIMM 间距1.27mm 876362002 184pin 穿孔式 金 1.0A 50V -10° to +85°C 系列87636 >
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molex/莫仕 存储模块插座 87636-2002 DDR DIMM 间距1.27mm 876362002 184pin 穿孔式 金 1.0A 50V -10° to +85°C 系列87636
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产品信息
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最小镀层端接：
2.540µm
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最薄镀层 - 接合部位：
0.381µm
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阻燃性：
94V-0
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状态：
Obsolete
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终端界面类型：
穿孔式
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运行温度范围：
-10° to +85°C
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元件类型：
插座
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系列：
87636
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替代产品编号：
Contact Molex
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耐用性(插拔次数) - 最多次数：
25
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每触点最大电流：
1.0A
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类别：
存储模块插座
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进入角度：
垂直式(顶部接入)
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间距-接合界面：
1.27mm
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电压键：
2.5V, 左
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电压 -最大：
50V
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电路数(已装入的)：
184
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产品名称：
DDR DIMM
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插接极性：
是
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材料-终端电镀：
锡
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材料-树脂：
高温热塑型塑料
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材料-金属：
磷青铜
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材料-接合处电镀：
金
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包装形式：
盘状
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UPC：
822348525911
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Process Temperature max. C：
240
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PC厚度 推荐：
2.40mm
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PCB 焊脚长度：
3.23mm
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PCB 保持力：
是
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Net Weight：
8.802/g
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Max. Cycles at Max. Process Temperature：
1
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Lead-freeProcess Capability：
SMC&WAVE
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JEDEC轮廓线：
MO-206
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Housing Color：
黑色
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Duration at Max. Process Temperature (seconds)：
30
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CSA：
LR19980
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最小镀层端接：